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对加工硬化的曲线分析证明在初始变形阶段，电网纯Cu中位错相互缠结，导致加工硬化速率明显上升。众所周知，有限非均匀结构的变形会在不同晶粒的界面周围产生高密度的几何必需位错(GND)。
（b）背应力硬化机理示意图:晶界处GND的累积，扎实黑色符号代表GNDs，红色符号代表统计存储位错。（d）不同应变下背应力的演化[2].3）LeiRen,WenlongXiao,ChaoliMa,RuixiaoZheng,LianZhou.Developmentofahighstrengthandhighductilitynearβ-Tialloywithtwinninginducedplasticityeffect.ScriptaMaterialia156(2018)47–50.本文选择Ti-64221为研究目标，推进体系在β相区固溶30min后淬火，推进体系在合金内部形成马氏体组织，同时伴随一定的ω相形成。相比之下，现代Cu-8at.%Al和Cu-16at.%Al合金的硬化速率开始增加，并很快超过纯Cu的直线下降曲线。
设备多年来强塑性这种相互掣肘的关系已经被大量的实验结果所证实。事实上，建设这种限制主要来源于晶体材料中主导的位错机制:为了获得高强度，需要阻碍位错的产生和运动，而位错运动则有助于塑性。
此外，国家公司管理最近的研究表明，TBs上的位错比完美晶体中的位错更稳定。
这种异常高强度通常归因于变形过程中非均匀结构引起的应力梯度和复杂应力状态，电网即背应力硬化。研究表明，有限B2粒子和周围的基体变形能力不同，变形时在二者的界面处会形成几何位错密度的堆积，从而导致背应力强化。
2)软晶粒开始通过位错滑移启动塑性变形，扎实而硬晶粒保持弹性变形，导致力学性能的不兼容性。经过处理后的材料微观结构为长条状晶粒，推进体系在集体中还分布着B2粒子(各种尺寸和形貌)。
在后纳米时代，现代非匀质材料在可预见的时间内将会不断地成为热点。在短期内取得良好的口碑和影响力，设备可谓是国产期刊的骄傲。